高速光耦與普通光耦有什么區(qū)別

關于這個問題，我認為不能僅通過說是否有問題來判斷。 我已經(jīng)在這個問題上進行了相當深入的實驗。 并將其應用于38.4Kbps的串行通信，實際上，由于普通光耦的特性，開關的延遲時間通常是不同的。 
在正常應用（典型電路）中，開啟時間為2?3uS，關閉時間超過30uS。 這樣，按照30uS的間隙計算，不超過半個時間，應該是16.6Kbps。 如果兩個通信節(jié)點之間的波特率存在錯誤，則應降低該值！ 但是，在合理選擇驅動電路之后，可以縮小兩個時間間隔，并可以提高波特率。 我已將這段時間減少到少于2uS。 這樣，理論上可以達到200Kbps以上。 
“實際上，由于普通光耦的特性，開關的延遲時間通常是不同的。在普通應用（典型電路）中，接通時間為2?3uS，并且 關斷時間超過30uS。按照30uS間隙計算，它不應超過半個時間，即16.6Kbps。” 
實際上，它不能“少于一半時間”。 許多單片機和其他芯片都位于3 / 8、1 /中，當以2和5/8位進行檢測時，如果考慮到抗干擾要求，則時間只能少于3/8位，因此 可用的波特率較低。
如果要以更高的波特率工作，則很容易一個接一個地調整正向電流。 57600沒有問題。但是，在批量生產(chǎn)中絕對不允許這樣做。 如果使用固定的初級限流電阻和次級上拉電阻，并考慮到521的參數(shù)離散度（注意：電流傳輸比為50％至600％），則它必須在整個允許溫度范圍內(nèi)可靠地工作 范圍，并且波特率不應該大于9600，否則可能會發(fā)生這批芯片工作正常而下一批芯片異常的情況。 
光耦可以使用多高的波特率取決于三倍：
1，開啟時間。 2.儲存時間。 3.關閉時間。 
最大的影響是存儲時間，它會使脈沖變形并導致傳輸錯誤。 
存儲時間歸因于三極管的飽和。 飽和度越大，存儲時間越長。 如果它不能完全進入飽和狀態(tài)（線性區(qū)域的邊緣），則存儲時間幾乎為零。 但這很難做到，除非逐一調整驅動電流，以使晶體管不會進入飽和狀態(tài)。 即使進行調整，溫度變化也可能會改變電流傳輸率，導致晶體管進入飽和狀態(tài)或離開線性區(qū)域的邊緣（晶體管的輸出幅度減小），并且電路無法正常工作。 
是否可以改進驅動電路以使芯片以更高的波特率工作？ 當然可以。 驅動電路延遲接通，而不會延遲斷開。 如果延遲時間恰好等于存儲時間，那么從波形的角度來看，無非是脈沖延遲，但沒有變形（暫時不考慮上升和下降時間），因此 不會有傳輸錯誤。 但是，這里出現(xiàn)了一個新問題：它是否具有成本效益？ 高速光耦例如，6N135并不比TLP521貴很多。 如果更換驅動電路的增加成本大于6N135與TLP521之間的價格差，則不會計入。 在設計工作中，必須始終考慮這一成本因素。 
改善驅動電路無法減少開啟時間和關閉時間，調整驅動電流也無法減少開啟時間和關閉時間。 因此，即使存儲時間為零，最終波特率也將受到這兩次的限制。 
如果將TLP521用作數(shù)字設備，則讓TLP521在非線性區(qū)域的飽和和非飽和極限下工作（即：添加上拉以產(chǎn)生高電平和低電平），并將其用于 通信隔離10Kbps并開始產(chǎn)生錯誤。 
如果我們可以完全理解光耦合的特性，則在TLP521的輸出之后增加一個放大和整形電路，使用TLP521線性區(qū)域的電流傳輸比的增益特性，并通過一類 Schmidt雙晶體管放大器的電壓增益為25db時，放大和整形可以將傳輸信號的上升沿和下降沿的實時延遲降低到1uS。 如果使用單個管進行放大和整形以傳輸50Kbps，那將是沒有問題的，并且成本只會增加幾美分。 。 
如果高速光耦合器取消了接收管的內(nèi)部放大和整形電路，則其速度不會比TLP521高。 
9600沒問題
9600沒問題，我用PC817，9600bps 5V，1kom傳輸比較穩(wěn)定。 此外，如果在兩側都添加了2N4401 / 3加速度（整形），則38.4kbps的傳輸也非常穩(wěn)定。 
脈沖的上升沿和下降沿可以通過施密特電路進行整形，但是無論上升沿和下降沿有多好，光耦關斷的延遲時間都無法解決，并且 傳輸錯誤仍然會發(fā)生。 
“如果高速光耦合取消了接收管的內(nèi)部放大和整形電路，則其速度不會比TLP521的速度高多少。” 
這句話更加無邊界。 ，設計高速光耦的工程師聽說他想吊死自己。 
但是，如果將光耦合器定位為模擬設備，情況就完全不同了，所以我要表達的是：光耦合器在線性區(qū)域中起作用，并且具有線性電壓增益的電路與 線性放大和數(shù)字整形。 ，（具有線性放大特性和施密特特性的雙管電路）。 它不是完全的施密特電路，并且在設計過程中已適當調整了工作點（包括發(fā)射電流）。 組件要求不是很嚴格，并且分批沒有一致性問題。 加一個管，可以使驅動能力非常強，可以用來直接驅動大功率IGBT，VDMOS等。
這種電路是在高速光耦合昂貴的時代設計的，并且 它已經(jīng)被很好地使用了。 建議做一些實驗。 
關于高速光耦合的問題，我比較了類似等級的產(chǎn)品，例如6N135和TLP521。 您也可以嘗試一下。 如果您不使用6N135中的三極管來加速，則6N135的性能確實比TLP521更好。 不多，當然差距也非常明顯。 說這句話的目的是告訴您如何正確理解光學蓮花的設計方法。
高速光耦在結構
上不同于普通光耦。在結構上，高速光耦與普通光耦不同。 高速光耦的結構是光電二極管放大器驅動電路，普通光耦的結構是光敏三極管（放大驅動電路）。 光電二極管的響應速度（上升和下降時間）約為納秒，光電晶體管的響應速度（上升和下降時間）約為微秒。 并不是說普通的光耦可以在線性區(qū)域中高速運行，并且其固有的響應時間是有限的。 另外，如果普通光耦在線性區(qū)域中起作用，則它也將受截止頻率Fc（Cut-off Frequency）參數(shù)的限制。 普通光耦的Fc基本在50KHz左右（測試條件VCC = 5v，IC = 5ma，RL = 100R，RL增大，F(xiàn)c較小。當RL = 1K時，F(xiàn)c約為10KHz），類似于TLP521，F(xiàn)c 50KHz，PC817，F(xiàn)c約為80KHz，CNY117，F(xiàn)c約為250KHz。 
當然，在增加驅動電流（至200MA）/減小負載電阻（至500OHM）/優(yōu)化驅動脈沖（某些情況下）的情況下，某些常見的光耦確實可以達到500KHz的速度。 光耦制造商的應用筆記提到了類似的應用）
將6N135與TLP521進行比較，的確是不正確的。
同意對光耦結構的看法。 如果僅使用6N135接收二極管并使用Ib串電阻（更大）輸出，則它將對TpLH產(chǎn)生更大的影響，這是不公平的，而且沒有人會如此愚蠢地使用它。 
TLP521使用光電晶體管并具有電流傳輸比，這使得可以使用巧妙的外部放大和整形電路設計。 
沒有針對RS-485光隔離問題優(yōu)化的電路。 
時間是有限的，沒有針對RS485進行優(yōu)化，也沒有進行優(yōu)化以達到令人滿意的效果。 
請挖出我之前做過的電路，以供參考。 
不容易確保光耦處于線性狀態(tài)，并且光耦的電流傳輸比變化太大，例如521，則電流傳輸比為 在0.5?6之間，因此在相同的IF下，輸出電壓變化范圍為0.5?6倍，這給后續(xù)級工作點的定義帶來了很大的困難，這基本上是不可能的。